ZUM NACHWEIS VON SAUERSTOFF IN MIKROBEREICHEN VON VERSETZUNGSFREIEN CZOCHRALSKI-SILIZIUM-EINKRISTALLEN. = MISE EN EVIDENCE D'OXYGENE DANS LES MICRODOMAINES DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM, OBTENUS PAR LA METHODE DE CZOCHRALSKI, SOUS DISLOCATIONSGAWORZEWSKI P; HAHLE S; RIEMANN H et al.1977; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 12; NO 8; PP. 871-878; ABS. ANGL.; BIBL. 14 REF.Article

IR-SPANNUNGSOPTISCHE ERMITTLUNG ZUECHTUNGSBEDINGTER EIGENSPANNUNGEN IN SILIZIUM. = RECHERCHE PAR METHODE OPTIQUE IR SOUS TENSION DES CONTRAINTES PROPRES DETERMINEES PAR LA CROISSANCE DANS LE SILICIUMHAHLE S; POTZSCHKE D; BEYRICH H et al.1976; KRISTALL. U. TECH.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 11; NO 1; PP. 91-101; ABS. ANGL.; BIBL. 20 REF.Article

Assessment of layer structures for GaInP/GaAs-heterojunction bipolar transistorsRICHTER; BRUNNER, F; GRAMLICH, S et al.Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology. 1999, Vol 66, Num 1-3, pp 162-173, issn 0921-5107Conference Paper